浙江工业大学化学工程与材料学院导师：胡晓君 正文

　　姓名：胡晓君
　　学历/职称：教授
　　所在岗位：硕导
　　联系方式：0571-88320392
　　研究领域：先进薄膜材料（金刚石薄膜的制备、掺杂和光电性能）

　　教育经历：
　　1992/09～1996/07 大连铁道学院材料科学与工程系获学士学位
　　1996/09～1999/07 沈阳农业大学机械工程系获硕士学位
　　1999/09～2004/01 上海交通大学材料科学与工程学院获博士学位

　　工作简历：
　　2004/05～2006/09 浙江工业大学化学工程与材料学院讲师
　　2006/09～2011/09 浙江工业大学化学工程与材料学院副教授
　　2007/03～2008/09 香港城市大学博士后研究（Research Fellow）
　　2011/09~至今 浙江工业大学化学工程与材料学院教授

　　学校及社会兼职：
　　材料系实验室主任
　　中国材料研究学会会员

　　教学工作：
　　长期担任本科生的重要专业基础课《材料科学基础》的主讲教师，担任《化学化工软件》和《计算机在材料科学中的应用》等课程的主讲教师，取得了良好的教学效果。2006年获得学院青年教师讲课比赛一等奖。
　　长期主讲研究生课程《金属学原理》，根据研究生学习的特点，在课堂教学中，开展讨论式教学，将学科前沿研究进展与教学内容相联系，将研究思路与教学内容相联系，将研究方法与教学内容相联系，在深化学生专业基础知识的同时，对其研究思路和研究方法进行引导，为研究生进入课题研究奠定基础。
　　指导学生开展课外科技活动，通过完成课外科技活动项目，培养学生发现问题、分析问题和解决问题的能力；培养他们的书面和口头表达能力。指导本科生申报和完成了国家级大学生创新实验计划项目、校级大学生创新实验计划项目和校运河杯科技项目等。
　　为研究生培养搭建了良好的项目平台和研究氛围。对研究生严格要求，精心指导，致力于全面提高研究生的专业素质和综合能力，为高科技产业输送人才。近年来培养的硕士生获得省级优秀毕业生、校级优秀毕业生、校级优秀硕士论文、校级运河杯课外科技竞赛二等奖等荣誉称号。

　　承担的科研项目：
　　2010.1-2012.12 国家自然科学基金面上项目：磷离子注入制备高电导率n型纳米金刚石薄膜的研究（项目负责人，50972129，35万元）
　　2012.1-2013.12 国家自然科学基金委-中俄合作交流项目（NSFC-RFBR）：磷离子注入纳米及微晶CVD金刚石薄膜的制备、微结构和电学性能研究（项目负责人，51211120188，9 万元）
　　2007.01-2009.12 国家自然科学基金青年基金项目：氧离子注入制备高质量低电阻率n 型金刚石薄膜的研究（项目负责人，50602039，24 万元，已结题）
　　2010.01-2012.12 浙江省钱江人才计划项目：高催化活性纳米硼掺杂金刚石薄膜电极的制备 （项目负责人，2010R10026，10万元）
　　2010.01-2011.12 留学回国人员科技活动项目择优资助：硼氧共掺杂n型金刚石薄膜的微结构与电学性能研究（项目负责人，1万元）
　　2006.01～2007.12 浙江省教育厅资助项目“氧离子注入金刚石薄膜的电学性质研究”（项目负责人，D1015227，1.5 万元，已结题）
　　2013年入选浙江省中青年学术带头人。
　　2006 年12 月获浙江省科协“育才工程”资助。
　　2005 年列入“浙江省151 人才工程”第三层次。
　　2004 年被评为浙江工业大学首批青年学术骨干。

　　主要论文目录：
　　1．X.J. Hu*, X. H. Chen, and J. S. Ye, The roles of hydrogen in the diamond/amorphous carbon phase transitions of oxygen ion implanted ultrananocrystalline diamond films at different annealing temperatures, AIP Advances 2, 2012, 042109
　　2．X.J. Hu*, J. S. Ye, H. Hu, X. H. Chen, Y. G. Shen, Phosphorus ion implantation and annealing induced n-type conductivity and microstructure evolution in ultrananocrystalline diamond films, Appl. Phys. Lett. 99, 2011, 131902
　　3．X.J.Hu*, J.S. Ye, H.J. Liu, Y.G. Shen, X.H. Chen, H. Hu, n-type conductivity and phase transition in ultrananocrystalline diamond films by oxygen ion implantation and annealing, J. Appl. Phys. 109, 2011, 053524
　　4．X.J. Hu, Y.G. Shen, The roles of grain boundary and interfacial energies in the grain growth of nanocomposite films, Appl. Phys. Lett, 94, 2009, 093111 (IF: 3.977) (入选“The American Institute of Physics”和“The American Physical Society”联合出版的杂志：Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology, 19(11), 2009.)
　　5．X.J. Hu, Z.J. Liu, Y.G. Shen, Mechanisms of amorphous-phase-dependent grain growth in two-phase nanocomposite films: A Monte Carlo analysis, Appl. Phys. Lett, 92, 2008, 021910 (IF: 3.977) (入选“The American Institute of Physics”和“The American Physical Society”联合出版的杂志：Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology, 17(5), 2008.)
　　6．X.J. Hu, J.S. Ye, S. Mariazzi, R.S. Brusa, A Positron annihilation study on the defect properties of doped diamond films, Thin Solid Films, 516, 2008, 1699-1702 (IF: 1.666)
　　7．X.J. Hu, R.B. Li, H.S. Shen, Y.B. Dai, X.C. He, The electrical and structural properties of boron and phosphorus co-doped diamond films, Carbon, 42 (8-9), 2004, 1501-1506 (IF: 3.120)
　　8．X.J. Hu*, J.S. Ye, H.J. Liu, H. Hu, X.H. Chen, The influences of oxygen ion implantation on the structural and electrical properties of B-doped diamond films, Diamond and Related Materials, 20, 2011, 246-249
　　9．X.J. Hu, Y.G. Shen, X.P. Hao, B.Y. Wang, The structural properties of B-O codoped diamond films, Diamond & Related Materials, 18, 2009, 210 (IF:1.788)
　　10．X.J. Hu, Y.H. Lu, Y.G. Shen, The grain size distribution in nanocomposite films, Solid State Communications, 149, 2009, 903. (IF:1.66)
　　11．X.J. Hu, J.S. Ye, Q.S. Lu, G.Q. Zheng The structural properties of O and B-O ion implanted diamond films, The society of photo-optical instrumentation engineering (SPIE), 6984, 2008, 69840Q （ISTP）
　　12．X.J. Hu, J.S. Ye, G.Q. Zheng, H.Z. Cao, H.C. Tan, The influences of oxygen ion implantation on the electrical and structural properties of diamond films, Chinese Physics 15(9), 2006, 2170-2174, (IF:1.497)
　　13．X.J. Hu, Y.B. Dai, H.S. Shen, X.C. He, A molecular dynamics simulation on the structural properties of Band N co-existed in diamond, Physica B, 367, 2005, 86-91 (IF:0.908)
　　14．X.J. Hu, Y.B. Dai, H.S. Shen, X.C. He, Molecular dynamics simulation on boron diffusion in diamond, Solid State Communications,132(8), 557-560, 2004 (IF:1.602)
　　15．X.J. Hu, Y.B. Dai, H.S. Shen, Z.M. Zhang, R.B. Li, X.C. He, A molecular dynamics study of interstitial boron in diamond, Physica B, 327, 2003, 39-42 (IF: 0.908)
　　16．X.J. Hu, Y.B. Dai, H.S. Shen, Z.M. Zhang, R.B. Li, X.C. He, The diffusion of vacancy near a diamond (001) surface, Solid State Communications, 122, 2002, 45-48 (IF: 1.602)

　　专利：
　　1．胡晓君，一种n型纳米金刚石薄膜及制备方法，中华人民共和国国家知识产权局，申请号：ZL200910155306.3，中国，2009/12/16.已授权。
　　2．胡晓君*，刘会君，一种硼掺杂纳米金刚石薄膜及制备方法，专利申请号：201010295654.3
　　3．胡晓君，一种高迁移率n型纳米金刚石薄膜及制备方法，申请号：201210594869.4，申请日：2012年12月31日

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