厦门大学材料学院导师：罗学涛

发布时间：2021-10-09 编辑：考研派小莉推荐访问：

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厦门大学材料学院导师：罗学涛正文

　　姓名：罗学涛　　
　　性别：男　　
　　职称：教授　　
　　学院：材料学院
　　研究方向：低成本多晶硅冶金法制备；高岭土深加工技术。
　　联系电话：0592-2184881
　　电子信箱：
　　学生培养：共培养硕士15名，其中博士2名，目前正指导研究生10名，其中博士生2名。每年拟招硕士研究生2-4名，博士研究生2-4名，欢迎联系。

　　个人简介

　　罗学涛，男，1964年2月出生，教授，博士生导师，课题组组长。现任厦门大学材料科学与工程系系主任。1996年3月于西北工业大学博士研究生毕业，获得工学博士学位。1999年7月年破格晋升教授，享受国务院政府津贴荣誉，2005年任博士生导师。现任全国冶金法太阳能多晶硅产业技术创新联盟理事和多个国际冶金期刊的特约审稿委员。近几年在福建省自然科学基金重点项目“外场作用下多晶硅材料中杂质分离的机理研究（2007J0012）”、福建省科技重大专项专题项目“低成本多晶硅提纯及其太阳能电池的研究开发与产业化（2007HZ0005-2）”、NSFC-云南联合基金重点项目（项目批准号：U1137601）冶金法制备太阳能级多晶硅中的真空精炼研究、“十二五”国家科技支撑计划项目（项目批准号： 2011BAE03B01）”冶金法制备太阳能级多晶硅的关键技术及其产业化示范”的资助下，开展了造渣精炼、真空除磷、等离子除硼、定向凝固除杂的研究，为冶金法制备太阳能多晶硅积累了丰富实验经验和理论依据。

　　近三年来参加承担国家自然基金重点项目、省重大科技专项、省重点基、企业委托横向课题10余项，主持经费900余万元。在Journal of Alloys and Compounds, Separation of Purification Technology，Metallurgical and materials transactions A，Journal of the Electrochemical Society等国际重要学术期刊、国内国家级重要学术刊物上发表论文70余篇（其中SCI收录30篇、EI收录20余篇）。与项目相关的冶金法提纯多晶硅文章10余篇。申请发表专利54项，授权16项，其中与冶金法提纯多晶硅相关的国家发明专利20项，其中9项授权。

　　工作经历

　　1996.4.-1997.11. 武汉工业大学材料复合国家重点实验室，副研究员

　　1997.11.-1998.10. 国防科技大学陶瓷基复合材料国防重点实验室，副研究员

　　1998.11.-2001.9. 南昌航空工业学院材料科学与工程系，教授，教研室主任，系副主任

　　2000.3-2000.10. 新加坡国立大学(National University of Singapore），材料系，客座研究员

　　2001.9.-2002.1. 中南大学粉末冶金国家重点实验室，教授

　　2002.1.-2012.1. 厦门大学材料学院材料科学与工程系，教授，系主任

　　2010.6.-2010.7. 挪威科技大学(Norwegian Uni. of Sci. and Techn.）冶金工程学院，客座研究员

　　教育经历

　　1982.9.-1986.7. 南昌航空工业学院材料科学与工程系，大学本科/学士，王寿彭教授

　　1990.9.-1993.3. 西北工业大学材料科学与工程系，硕士研究生/硕士，张立同教授，院士

　　1993.3.-1996.3. 西北工业大学材料科学与工程学院，博士研究生/博士，张立同教授，院士

　　1996.4.-1997.11. 武汉工业大学材料复合国家重点实验室，博士后，袁润章教授

　　科研成果

　　发表论文及专利摘选：

　　1. 1. Song-sheng Zheng, Thorvald Abel Engh, Merete Tangstad, Xue-tao LUO(罗学涛), Kinetic model of phosphorus removal from silicon by induction vacuum refining, Metallurgical and materials transactions A, 2011, Volume 42( 8): 2214-2225（JCR二区）.

　　2. Song-sheng zheng, Thorvald Abel Engh, Merete Tangstad, Xue-tao Luo(罗学涛), Separation of phosphorus from silcon by induction vacuum refining, Separation of Purification Technology, 2011, 82 :128-137（JCR二区）.

　　3. Jing Cai, Xue-tao Luo(罗学涛), Geir Martin Haarberg, Ole Edvard Kongstein, Shu-lan Wang, Electrorefining of metallurgical grade silicon in molten CaCl2 based salts, Journal of the Electrochemical Society（JES）, 2012, 159（3）: D155~D158.

　　4. Song-sheng Zheng, Wen hui Chen, Jing Cai, Jin tang Li, Chao Chen, and Xue-tao LUO(罗学涛) , Mass Transfer of Phosphorus in Silicon Melts under Vacuum Induction Refining, Metallurgical and Materials Transactions B, 2010,41B:1268-1273（JCR三区）.

　　5. Song-sheng Zheng, Jafar Safarian, Seongho Seok, Sungwook Kim, Merete Tangstad, Xue-tao LUO(罗学涛), Elimination of phosphorus vaporizing from molten silicon at a finite reduced pressure, Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 2011, 21(3): 697-702.

　　6. CAI Jing, LI Jin-tang, CHEN Wen-hui, CHEN Chao, LUO Xue-tao(罗学涛)，Technical study on boron removal from metallurgical silicon using CaO-SiO2-CaF2 slags, Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 2011, 21(6): 1402-1406.

　　7. 郑淞生，陈朝，罗学涛. 多晶硅冶金法除磷的研究进展，材料导报，2009年10月，第23卷第10期，11-14.

　　8. 蔡靖，陈朝，罗学涛. 高纯冶金硅除硼的研究进展，材料导报，2009年第23卷第12期，81-84.

　　9. 吴浩，黄平平，傅翠梨，张蓉，李锦堂，罗学涛，硅系合金法提纯多晶硅的研究进展，材料导报，（2011）年，A刊（上半月），第25卷第9期，37-41.

　　10. 黄平平，吴浩，傅翠梨，张蓉，李锦堂，罗学涛，CaO-SiO2基造渣剂除硼的研究进展；材料导报，（2011）年，A刊（上半月），第25卷第10期，68-71.

　　11. Jing Cai, Wen-hui Chen, Song-sheng Zheng, Jin-tang Li, Chao Chen, Xue-tao LUO(罗学涛). Removal of boron and metal impurities by a metallurgical refining process from MG-Si. The 3rd International Workshop on Science and Technology of Crystalline Silicon Solar Cells, Trondheim, Norway, June 3-5, 2009.

　　12. Jing Cai, Jin-tang Li, Wen-hui Chen, Chao Chen, Xue-tao LUO(罗学涛). Research on Boron Removal of Metallurgical Silicon by CaO-SiO2-CaF2 slags. The 2010 International Symposium on metallurgical purification technologies of SOG-Si, Yinchuan, China, September 12 -15, 2010.

　　13. Song-sheng Zheng, Jing Cai, Chao Chen, Xue-tao LUO(罗学涛), Thermodynamics of Phosphorus Removal from Silicon Melts by Vacuum Induction Refining, 3rd international workshop on crystalline silicon solar cells, Jun. 3-5 (2009), Trondheim, Norway.

　　14. Song-sheng Zheng, T. Abel Engh, Merete Tangstad, Xue-tao LUO(罗学涛), A Simulation of Phosphorus Removal by Induction Vacuum Refining, Renewable Energy Research Conference, June 7-8 (2010), Trondheim, Norway.

　　15. Song-sheng Zheng, Jafar Safarian, Seongho Seok, Sungwook Kim, Merete Tangstad, Xue-tao LUO(罗学涛), Elimination of Phosphorus from Si-P system by induction refining at a finite reduced pressure, The 2010 International Symposium on metallurgical purification technologies of SOG-Si, Sept.12-15(2010), YinChuan, China.

　　与冶金法相关的专利申请（20项，授权9项）

　　1、罗学涛，蔡靖，李锦堂，郑淞生，陈文辉，沈晓杰，龚惟扬，陈朝，一种采用电磁感应熔炼辅助高温等离子除硼提纯多晶硅的生产工艺及装置，授权日：2011年05月18日，专利号：ZL 200910112547.X；

　　2、罗学涛，郑淞生，蔡靖，陈文辉，李锦堂，陈朝，真空感应熔炼去除硅中磷杂质的方法，授权日：2011年08月10日，专利号：ZL 200910112398.7；

　　3、罗学涛，郑淞生，李锦堂，蔡靖，陈文辉，龚惟扬，沈晓杰，陈朝，太阳能级多晶硅提纯装置与提纯方法，授权日：2011年08月10日，专利号：ZL 200910112690.9；

　　4、罗学涛，蔡靖，李锦堂，郑淞生，陈文辉，龚惟扬，沈晓杰，陈朝，一种多晶硅的除硼提纯方法及装置，授权日：2011年11月09日，专利号：ZL 200910111808.6；

　　5、罗学涛，郑淞生，蔡靖，陈文辉，陈朝，太阳能级多晶硅的提纯装置及提纯方法，授权日：2011年11月09日，专利号：ZL 200810071577.6；

　　6、罗学涛，蔡靖，李锦堂，郑淞生，陈文辉，沈晓杰，龚惟扬，陈朝，一种多晶硅除硼提纯方法，授权日：2011年12月14日，专利号：ZL 200910112546.5；

　　7、罗学涛，陈文辉，李锦堂，陈朝，一种测定高纯硅中磷含量的方法，授权日：2011年12月14日，专利号：ZL 201010109814.0；

　　8、罗学涛，龚惟扬，李锦堂，吴浩，沈晓杰，一种采用硫化物去除工业硅中硼磷杂质的方法，授权日：2011年12月14日，专利号：ZL 201010177791.7；

　　9、罗学涛，龚惟扬，李锦堂，陈朝，一种采用稀土氧化物去除工业硅中硼磷杂质的方法，授权日：2012年01月11日，专利号：ZL 201010109835.2

　　10、罗学涛，沈晓杰，李锦堂，郑淞生，一种太阳能级多晶硅铸锭的制备方法及装置，申请日：2010.03.12，申请号：201010126686.0，公开日：2010.7.14，公开号：CN101775650A；

　　11、罗学涛，陈文辉，李锦堂，龚惟扬，沈晓杰，陈朝，一种多晶硅提纯装置及提纯方法，申请日：2009.11.24，申请号：200910112896.1；公开日：2010.6.9，公开号：CN101724900A；

　　13、罗学涛，龚惟扬，李锦堂，黄平平，吴浩，一种采用含镁化合物去除工业硅中硼磷杂质的方法，申请日：2011.01.05，申请号：201110000994.3；公开日：2011.06.22，公开号：CN102101671A；

　　14、罗学涛，吴浩，李锦堂，黄平平，傅翠梨，张蓉，一种利用硅锡合金提纯多晶硅的方法，申请日：2011.02.18，申请号：201110040956.0；公开日：2011.08.03，公开号：CN102139879A；

　　15、罗学涛，卢成浩，李锦堂，黄平平，吴浩，张蓉，傅翠梨，一种采用含钛化合物去除工业硅中硼杂质的方法，申请日：2011.02.18，申请号：201110040914.7；公开日：2011.08.03，公开号：CN102139878A；；

　　16、罗学涛，黄平平，李锦堂，吴浩，张蓉，傅翠梨，一种金属硅的造渣酸洗除硼方法，申请日：2011.02.18，申请号：201110040875.0；公开日：2011.08.17，公开号：CN102153088A；

　　17、罗学涛，黄平平，李锦堂等，一种金属硅中除硼的方法，申请日：2011.09.16，申请号：201110278875.4；公开日：2012.02.12，公开号：CN1021358620A；

　　18、罗学涛，吴浩，李锦堂等，一种掺杂氯化物的渣系去除工业硅中硼磷杂质的方法，申请日：2012.02.03，申请号：201210024702.4；

　　19、罗学涛，林彦旭，余德钦，方明，李锦堂，一种采用二次合金法提纯多晶硅的方法，申请日：2012.02.03，申请号：201210024958.5；

　　20、罗学涛，方明，蔡靖，李锦堂，余德钦，卢成浩，一种熔盐电解去除硅中硼和磷杂质的方法，申请日：2012.02.03，受理中。

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