2021天津理工大学半导体物理专业研究生考试大纲和参考书目

发布时间：2020-11-03 编辑：考研派小莉推荐访问：

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2021天津理工大学半导体物理专业研究生考试大纲和参考书目正文

天津理工大学2021年硕士研究生入学初试考试大纲
学院（盖章）：电气电子工程学院
考试科目名称：半导体物理

一、考试方式
考试采用笔试方式，考试时间为180分钟，试卷满分为150分。

二、试卷结构与分数比重
试题分为名词解释、简答题、证明题、计算题、论述题等。其中：名词解释占20%，简答题占30%，证明题占10%，计算题占10%，论述题占30%。

三、考查的知识范围

1．半导体中的电子状态（10％）：能带论，半导体中的电子运动、有效质量，本征半导体的导电机制、空穴，锗、硅、砷化镓和锗硅的能带结构。
2．载流子的统计分布（15％）：状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征半导体的载流子浓度，杂质半导体的载流子浓度。一般情况下的载流子的统计分布。
3．半导体的导电性（15％）：载流子的漂移运动，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，玻尔兹曼方程；强电场效应，热载流子。
4．非平衡载流子（20％）：非平衡载流子的注人与复合，非平衡载流子的寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散运动、连续性方程。
5．PN结（15％）：PN结及其能带图，PN结电流电压特性。
6．金属和半导体的接触（10％）：金属和半导体接触的整流理论，少数载流子的注入，欧姆接触。
7．半导体表面与MIS结构（15％）：表面电场效应，理想与非理想的MIS结构的C-V特性，Si-SiO₂系统的性质，表面电导。

四、参考书目
《半导体物理学》（第7版），刘恩科主编，电子工业出版社

学院研究生招生领导小组组长签字：

天津理工大学

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