上海应用技术大学理学院导师：邹军

发布时间：2021-11-20 编辑：考研派小莉推荐访问：

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上海应用技术大学理学院导师：邹军正文

[导师姓名]
邹军

[所属院校]
上海应用技术大学

[基本信息]
导师姓名：邹军
性别：男
人气指数：6289
所属院校：上海应用技术大学
所属院系：理学院
职称：副教授
导师类型：
招生专业：材料化学工程
研究领域：研究集中于LED及LD相关材料与器件；研究氮化物材料的生长机理（与上海博恩世通光电股份有限...

[通讯方式]
办公电话：18957392108
电子邮件：zoujun@sit.edu.cn

[个人简述]
邹军，男，1978.02,湖北襄阳人，博士研究生，副教授，硕士生导师。从事LED和LD相关氮化物和氧化物材料与器件研究。200707-200803上海伟钊光学科技有限公司研发工程师；200803-201003浙江聚光科技有限公司研发总工程师；201003-201212浙江亿米光电科技有限公司总经理；201212-至今上海应用技术学院。

[科研工作]
作为第一负责人主持项目：1.LED白光面光源及应用灯具（09C26213301162），200912-201302，国家创新基金；2.高显色大功率LED路灯（10C26212303846），201011-201305，国家创新基金；3.荧光微晶玻璃体材料制备白光LED技术与应用（11C26213304753），2011.6-2013.6，国家创新基金；4.铝酸锂上无极性氮化物薄膜制备关键技术研究（51302171），201404-201612,国家自然基金青年基金；5.白光LED器件封装荧光体材料的制备及产业化（2012C11SA460025），2011.3-2014.3，浙江省重大科技项目；6.LED新型封装材料、封装技术及应用灯具的研究，2010.12-2012.4，创新嘉兴精英引领计划项目（等级C）；参与的项目有：1.2英寸LiAlO2晶体及衬底制备技术研究(2006AA03A101),“十一五”863计划半导体照明工程专项2.LiAlO2衬底和非极性GaN/InGaN量子阱生长研究(2004AA311080),“十一五”863计划半导体照明工程专项3.大尺寸高质量LiAlO2晶片制备及产业化关键技术研究,上海“浦江人才计划”项目4.宽禁带半导体薄膜及其新型衬底材料,中国科学院“百人计划”项目。主要研究论文目录：1.Zoujun,ShengmingZhou,JunXuetal，RemarkableinfluenceofvaportransportequilibrationonthecrystalqualityandthermalexpansioncoefficientsofLiAlO2，JournalofAppliedPhysics，2005，98：80909.2.Zoujun,xiangWeidong，A-planeGaNlayergrownon(302)LiAlO2byMOCVD，JournalofAlloysandCompounds,2009，484：622-625.3.Zoujun,XiangWeidong，Nonpolarm-anda-planeGaNthinfilmsgrownonr-LiAlO2substrates，JournalofCrystalgrowth，2009，311：3285-3288.4.JunZou,ShengmingZhou,Junxuetal,Studyongrowthandpropertiesofnovelγ-LiAlO2substrate,Chin.Sci.E,2006,22:333.5.JunZou,ShengmingZhou,ChangtaiXiaetal,Structural,opticalandelectricalpropertiesofZnOfilmsgrownonc-planesapphireand(100)LiAlO2bypulselaserdeposition,J.CCryst.Growth,2005,280:185.6.JunZou,ShengmingZhou,ChangtaiXiaetal,OpticalpropertiesofZnOthinfilmonLiAlO2grownbypulsedlaserdeposition,ThinSolidFilsm,2005,496:205.7.JunZou,ShengmingZhou,YangLietal,SpectraanalysisofanovelTi-dopedLiAlO2singlecrystal,Chin.Phys.Lett,2005,22:2622.8.JunZou,ShengmingZhou,XiaZhangetal,DepositionofZnOthinfilmson(100)γ-LiAlO2substrate,Chin.Opt.Lett,2005,2:494.9.JunZou,ShengmingZhou,XiaZhangetal,Structural,MorphologicalandOpticalpropertiesofZnOthinfilmsgrownonLiAlO2bypulsedlaserdeposition,J.Mater.Sci.Technol.,2005,21:549.10.JunZou,LianhanZhang,JunXuetal,γ-LiAlO2singlecrystalgrownbyCzochralskltechniqueandmodifiedbyVaporTransportEquilibration(VTE)technique,J.Mater.Sci.Technol,2006,22:491.11.JunZou,ShengmingZhouetal,StudyonthehydrolyticpropertyandthermalstabilityofLiAlO2substrate,J.CrystalGrowth,2006,294:339.12.JunZou,ChengxiangLiu,ShengmingZhouetal,Growthstudiesofm-GaNlayersonbyLiAlO2MOCVD,ChinesePhysics,2006,15:2706.13.JunZou,ShengmingZhou,JunXu,ComparisonofZnOfilmsgrownonbefore-andafter-vaportransportequilibration(VTE)LiAlO2substratesbypulsedlaserdeposition(PLD),J.Mater.Sci.Technol,2006,22:333.专利：1.LEDlightsourceandmanufacturingmethod(US20120281388A1)，美国发明专利；2.LEDlightsource(US008534866B2),美国发明专利；3.LED新型封装光源(PCT/CN2011/756)，日本发明专利；4.LED路灯（ZL201320140552.3），实用新型专利；5.LED筒灯（ZL201320143511.X），实用新型专利；6.LED日光灯（ZL201320145258.1），实用新型专利；7.LED格栅射灯（ZL201320145277.4），实用新型专利；8.LED射灯（ZL201320140191.2），实用新型专利；9.LED隧道灯（ZL201320141568.6），实用新型专利；10.LED面板灯（ZL201320143512.4），实用新型专利；11.大功率LED灯具（ZL201320145255.8），实用新型专利；12.LED灯条（ZL201320143514.3），实用新型专利；13.一种扇形结构的LED芯片（申请号2013121601232720），实用新型专利；14.一种扇形结构的LED芯片及其制造方法（申请号2013121601225460），发明专利；15.LED筒灯（申请号201310098349.9），发明专利；16.LED面板灯（申请号201310098970.5），发明专利；所获荣誉：1.科技部“科技创新创业人才”；2.第五批嘉兴市新世纪专业技术带头人培养人员；3.温州市第六轮专业技术拔尖人才；4.嘉兴市创业创新领军人才；5.“嘉兴市十大杰出青年”；6.嘉善县第七批优秀专业人才；7.嘉兴市创业创新领军人才；8.2012年“红船先锋”优秀共产党员荣誉称号；9.浙江省151人才；10.温州市551人才

[教育背景]
2007年7月毕业于中科上海光机所，获材料学博士学位。 以上老师的信息来源于学校网站，如有更新或错误，请联系我们进行更新或删除，联系方式

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