合肥工业大学电子科学与应用物理学院导师：许高斌

发布时间：2021-10-28 编辑：考研派小莉推荐访问：

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合肥工业大学电子科学与应用物理学院导师：许高斌正文

　　姓名：许高斌
　　性别：男
　　出生年月：1970-12
　　职称：教授
　　学院：电子科学与应用物理学院
　　研究方向：
　　
　　简历
　　安徽肥东人，2004年毕业于东南大学6系，获工学博士学位，2010年在中科院半导体研究所从事高级访问研究。现任合肥工业大学电子科学与应用物理学院教授，安徽省MEMS工程技术研究中心主任。近年来在IEEE Sensors Journal, Sensors and Actuators, Journal of Micromechanics and Microengineering, 仪器仪表学报, 半导体学报, 真空与科学技术学报, 中国机械工程, 电子测量与仪器学报等国内外期刊上发表学术论文30余篇，其中SCI收录5篇，EI收录17篇。其主要研究的科研成果已在MEMS 专业设计软件IntenlliSence软件中使用，取得良好的经济效益和社会效益。应邀为APCOT’2008(海峡两岸微米纳米技术研讨会，2008，台湾成功大学)分会主席(Session Chair of Bio Micro-Nano Technology)，中国微米纳米技术学会第十一届学术年会（2009，哈尔滨）分会主席，应邀为第十二届全国敏感元件与传感器学术会议程序委员会委员（2012.江苏昆山）。中国微米纳米技术学会高级会员，IEEE Sensors Journal 期刊审稿人。

　　研究方向
　　已完成的科研项目：
　　1． 863计划项目：MEMS加工与封装建模．模拟与IP库，项目编号：2003AA404010。项目完成，通过专家组验收。其科研成果已在MEMS专业设计软件的测试模块中应用。
　　2． 863计划项目：环境气象检测微系统开发，项目编号：2002AA404540。项目完成，通过专家组验收。
　　3．总装备部“十•五”预研计划：用于工艺监控的MEMS测试结构及方法，项目编号：41308.05.02.06。项目完成，通过专家组验收。
　　4．安徽省高校省级自然科学研究重点项目：基于MEMS技术CMOS兼容静电型微继电器研究，项目编号：2006KJ026A，2006,01-2008,12，项目主持人。
　　5．合肥市重点科技项目计划：便携式微生物总数快速监测仪，2007,11-2008,12，项目主持人。
　　6．微电子机械系统教育部重点实验室(东南大学)2006年度开放课题：薄膜热学性能在线测试结构研究，项目编号：2006SEU-MEMS05，项目主持人。

　　目前在研的科研项目：
　　1．安徽省自然科学基金：柔性衬底单壁碳纳米管阵列NEMS器件及其在纳米集成电路中的应用研究，项目主持人。
　　2．中国兵器工业第二一四研究所军工预研基金项目1：硅基MEMS加速度传感器（电容式），项目主持人。已流片成功。
　　3．中国兵器工业第二一四研究所军工预研基金项目2：高g值MEMS加速度传感器（压阻式），项目主持人。已流片成功。
　　4．合肥邦立电子有限公司委托研发项目：数字电容式液位传感技术的应用开发，项目主持人。
　　5．合肥工业大学重大预研专项：车载MEMS传感器关键技术，项目主持人。
　　6．国家自然科学基金－重大研究计划：基于改性TiO2纳米管阵列器件的构造研究。
　　7．安徽省科技攻关计划项目：SOI基高性能MEMS传感关键技术研究，项目主持人。

　　主要研究领域有：
　　目前主要讲授的课程有：
　　本科生课程：《半导体器件物理》（安徽省精品课程）；
　　研究生课程：《 MEMS设计与应用》
　　已毕业硕士研究生11人，目前指导硕士研究生7人，协助指导博士研究生1人。

　　获奖情况
　　获奖：
　　1．2006年度高等学校科学技术奖：自然科学一等奖，项目名称：多晶硅电热微执行器模型．制备与表征，个人证件编号：2006-***。
　　2．2009年度江苏省科技进步二等奖，项目名称：微机电系统模型．模拟及应用。个人证书编号：2009-*-*-**-**。

　　专利：
　　① 授权发明专利：导体薄膜热导率测试装置，发明人：许高斌，黄庆安，专利号：ZL03113386.X。已授权。
　　② 授权发明专利：数字电容式液位测量传感器，发明人：许高斌，张肖康，陈兴，周革，李一方，专利号： ZL 200910145055.0。已授权。
　　③ 授权实用新型专利：低阈值电压静电型微继电器，发明人：许高斌，何晓雄，李洋，专利号：ZL2006201654757。已授权。
　　④ 授权实用新型专利：双栅沟道导电类型可调单壁场效应晶体管，专利号：ZL 2001120248596，发明人：许高斌，陈兴，周琪，王鹏，常永嘉。已授权。
　　⑤ 授权发明专利：双栅沟道导电类型可调单壁碳纳米管场效应晶体管及制备工艺，发明人：许高斌，陈兴，周琪，王鹏，常永嘉，专利号：ZL 201110197345.7。
　　⑥ 发明专利申请：不等高梳齿电容式三轴加速度传感器及其制作方法，申请（专利）号: CN201110190985.5，发明人：许高斌。公开（公告）号: CN102401842A

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